MMDT2222A-7 Transistor bipolaire - Transistor à jonction bipolaire (BJT) 40V 200mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-363-6
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SOT-363-6	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	BJT - Transistors bipolaires	Série:	Le système de détection des risques
Poids unitaire:	6 mg ou moins
Mettre en évidence:	Transistor à jonction bipolaire durable , Transistor à jonction bipolaire robuste

Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-363-6
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Double
Courant de collecteur continu maximum : 600 mA
Tension collecteur-émetteur maximum VCEO : 40 V
Tension collecteur-base VCBO : 75 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1 V
Pd - dissipation de puissance : 200 mW
Produit gain-bande passante ft : 300 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : MMDT22
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Courant continu du collecteur : 600 mA
Gain en courant continu maximum hFE : 300
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,2 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,35 mm
Poids unitaire : 6 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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