DP350T05-7 Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT) PNP BIPOLAR

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	DP350T05-7 est un appareil

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SOT-23-3	Type de produit:	TSPDS
Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris	Série:	DP350T05
Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	Transistor à jonction bipolaire durable , Transistor à jonction bipolaire robuste

Fabricant: Diodes Incorporated
Catégorie du produit: transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie: si
Mode d'installation: SMD/SMT
Emballage/boîte: SOT-23-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: unique
Courant maximal du collecteur en courant continu: 500 ma
La tension maximale entre le collecteur et l'émetteur VCEO est de 350 V.
Voltage de base du collecteur vcbo: 350 v.
Voltage de base de l'émetteur VEBO: 5 V
Voltage de saturation du collecteur-émetteur: 1 V
Pd- dissipation de puissance: 300 MW
Produit de bande passante de gain ft: 50 MHz
Température minimale de fonctionnement: -55 °C.
Température de fonctionnement maximale: + 150 °C.
Série: DP 350 t 05
Emballage: rouleau
Emballage: coupe
Encapsulation: MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Collecteur de courant continu/base gain hfemin: 15
La hauteur: 1 mm
Longueur: 3,05 mm
Type de produit: Transistors bipolaires à base de BJT
Sous-catégorie: Transistors
Largeur: 1,4 mm
Unité de poids: 8 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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