| Plaats van herkomst: | Verenigde Staten |
| Merknaam: | Diodes Incorporated |
| Modelnummer: | DP350T05-7 |
| Min. bestelaantal: | 1 |
|---|---|
| Prijs: | USD 0.01-20/piece |
| Verpakking Details: | SMD/SMT-SOT-23-3 |
| Levertijd: | 5-8 werkdagen |
| Betalingscondities: | T/T |
| Product: | Bipolaire transistor-bipolaire junctie-transistor (BJT) | Installatiestijl: | SMD/SMT |
|---|---|---|---|
| Pakket/doos: | SOT-23-3 | Producttype: | TSPD's |
| Inkapseling: | Spoel, snijtape, muisspoel | Serie: | DP350T05 |
| Eenheidsgewicht: | 8 mg | ||
| Markeren: | duurzame Bipolaire junctietransistor,robuuste Bipolaire junctietransistor |
||
Vervaardiger: Diodes Incorporated
Product category: bipolar transistor-bipolar junction transistor (BJT)
Technologie: si
Installatie: SMD/SMT
Verpakking/doos: SOT-23-3
Transistor polariteit: PNP.
Configuratie: enkelvoudig
Maximale gelijkstroom van de collector: 500 ma
Maximale spanning van de collector-emitter VCEO: 350 V
Voltage van de collector-basis vcbo: 350 V.
Emitter-base spanning VEBO: 5 V
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning: 1 V
Pd-verlies van vermogen: 300 MW
Bandbreedtewinstproduct ft: 50 MHz
Minimale werktemperatuur: -55 °C.
Maximale werktemperatuur: +150 C.
Serie: DP 350 t 05
Verpakking: rol
Verpakking: cuttape
Inkapseling: MouseReel
Handelsmerk: Diodes Incorporated
Dc-collector/base gain hfemin: 15
Hoogte: 1 mm
Lange: 3,05 mm
Product type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategorie: Transistors
Breedte: 1,4 mm
Gewicht per eenheid: 8 mg
Contactpersoon: Hefengxin
Tel.: +8613652326683