DP350T05-7 Transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT) PNP BIPOLAR

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Estados Unidos
Marca:	Diodes Incorporated
Número do modelo:	DP350T05-7

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	Transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT)	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SOT-23-3	Tipo de produto:	TSPDS
Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel	Série:	DP350T05
Peso unitário:	magnésio 8
Destacar:	Transistor de junção bipolar durável , Transistor de junção bipolar robusto

Fabricante: Diodes Incorporated
Categoria do produto: transistor bipolar-transistor de junção bipolar (BJT)
Tecnologia:
Estilo de instalação: SMD/SMT
Embalagem/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: único
Corrente máxima do colector de CC: 500 ma
Voltagem máxima entre o colector e o emissor VCEO: 350 V.
Voltagem de base do colector vcbo: 350 v.
Voltagem de base do emissor VEBO: 5 V
Voltagem de saturação do colector-emissor: 1 V
Dispersão de potência Pd: 300 MW
Produto de largura de banda de ganho ft: 50 MHz
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 °C.
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C.
Série: DP 350 t 05
Embalagem: bobina
Embalagem: beterraba
Encapsulamento: MouseReel
Marca comercial: Diodes Incorporated
Receptor de CC/base ganha hfemin: 15
Altura: 1 mm
Comprimento: 3,05 mm
Tipo de produto: Transistores bipolares BJT
Subcategoria: Transistores
Largura: 1,4 mm
Peso unitário: 8 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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