NTJS4151PT1G พาวเวอร์มอสเฟตชนิด พี ชาแนล 20V 4.2A ระดับลอจิก พี ชาแนล มอสเฟต

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	ประเทศสหรัฐอเมริกา
ชื่อแบรนด์:	onsemi
หมายเลขรุ่น:	NTJS4151PT1G

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1
ราคา:	USD 0.01-20/piece
รายละเอียดการบรรจุ:	SMD/SMT DO-214AA-2
เวลาการส่งมอบ:	5-8 วันทำการ
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

รายละเอียดสินค้า

ผลิตภัณฑ์:	มอสเฟต	รูปแบบการติดตั้ง:	SMD/SMT
แพ็คเกจ/กล่อง:	เอสซี-88-6	ชุด:	NTJS4151P
การห่อหุ้ม:	ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์	ประเภทสินค้า:	มอสเฟตs
น้ำหนักหน่วย:	6.200มก
เน้น:	NTJS4151PT1G พาวเวอร์มอสเฟตชนิด พี ชาแนล , NTJS4151PT1G ระดับลอจิก พี ชาแนล มอสเฟต , 20V พาวเวอร์มอสเฟตชนิด พี ชาแนล

ผู้ผลิต: onsemi

หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต

เทคโนโลยี: Si

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ / เคส: SC-88-6

ขั้วทรานซิสเตอร์: P-Channel

จำนวนช่อง: 1 ช่อง

Vds - แรงดันไฟฟ้าเบรกดาวน์ Drain-Source: 20 V

Id - กระแส Drain ต่อเนื่อง: 3.3 A

Rds On - ความต้านทาน Drain-Source: 205 mOhms

Vgs - แรงดันไฟฟ้า Gate-Source: - 12 V, + 12 V

Vgs th - แรงดันเกณฑ์ Gate-Source: 1.2 V

Qg - ประจุเกต: 10 nC

อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด: - 55 C

อุณหภูมิการทำงานสูงสุด: + 150 C

Pd - การกระจายพลังงาน: 1 W

โหมดช่อง: Enhancement

การบรรจุ: Reel

การบรรจุ: Cut Tape

การบรรจุ: MouseReel

แบรนด์: onsemi

การกำหนดค่า: Single

Fall Time: 4.2 ns

Forward Transconductance - Min: 12 S

ความสูง: 0.9 mm

ความยาว: 2 mm

ประเภทสินค้า: มอสเฟตs

Rise Time: 1.7 ns

ซีรีส์: NTJS4151P

หมวดหมู่ย่อย: Transistors

ประเภททรานซิสเตอร์: 1 P-Channel

ชนิด: มอสเฟต

Typical Turn-Off Delay Time: 2.7 ns

Typical Turn-On Delay Time: 0.85 ns

ความกว้าง: 1.25 mm

น้ำหนักต่อหน่วย: 6.200mg.

แท็ก:

ผู้ติดต่อ: Hefengxin

โทร: +8613652326683

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ

Video

SI3454CDV-T1-GE3 ทรานซิสเตอร์ มอสเฟต ประหยัดพื้นที่ พกพาสะดวก สำหรับการจัดการพลังงานสมัยใหม่

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

SI3454CDV-T1-E3 ทรานซิสเตอร์ มอสเฟต 650V ประสิทธิภาพสูง

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

SI3454ADV-T1-E3 มอสเฟต ชนิด N ช่องคู่ น้ำหนักเบา พร้อมเทคโนโลยี SI

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

SI3454DV-T1-E3 มอสเฟต IC ชนิด N มอสเฟต ประสิทธิภาพสูง ติดตั้งแบบ SMD/SMT

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

SI3454ADV-T1 ทรานซิสเตอร์ มอสเฟต ชนิด N ช่อง ขนาดเล็ก ประสิทธิภาพพลังงานสูง

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

SI3454CDV-T1-GE3 ทรานซิสเตอร์มอสเฟต พี ชาแนล มอสเฟต ประสิทธิภาพสูง

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้

Video

ทรานซิสเตอร์ มอสเฟต SI3454DV-T1-E3 มอสเฟต กำลังไฟต่ำ พี ชาแนล น้ำหนักเบา

ผลิตภัณฑ์: มอสเฟต

รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT

แพ็คเกจ/กล่อง: ทปอ-6

การห่อหุ้ม: ม้วน，ตัดเทป，ม้วนเมาส์

พูดคุยกันตอนนี้