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NTJS4151PT1G MOSFET de potencia de canal P 20V 4.2A MOSFET de canal P de nivel lógico

NTJS4151PT1G MOSFET de potencia de canal P 20V 4.2A MOSFET de canal P de nivel lógico

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: onsemi
Número de modelo: NTJS4151PT1G
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado: SMD/SMT DO-214AA-2
Tiempo de entrega: 5-8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Contacto Ahora Charle
Descripción detallada del producto
Producto: MOSFET Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: El número de la línea de control es: Serie: NTJS4151P
Encapsulación: Carrete, cinta cortada, carrete de ratón Tipo de producto: Mosfets
Peso unitario: 6.200mg
Resaltar:

NTJS4151PT1G MOSFET de potencia de canal P

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NTJS4151PT1G MOSFET de canal P de nivel lógico

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MOSFET de potencia de canal P de 20V

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: SC-88-6
Polaridad del transistor: Canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 20 V
Id - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 205 mOhms
Vgs - Tensión puerta-fuente: - 12 V, + 12 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1.2 V
Qg - Carga de puerta: 10 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 1 W
Modo de canal: Mejora
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta cortada
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 4.2 ns
Transconductancia directa - Mín: 12 S
Altura: 0.9 mm
Longitud: 2 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1.7 ns
Serie: NTJS4151P
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal P
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 2.7 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 0.85 ns
Ancho: 1.25 mm
Peso unitario: 6.200mg.
NTJS4151PT1G.PDF

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