NTJS4151PT1G Tranzystor MOSFET mocy kanału P 20V 4,2A Logiczny poziom Tranzystor MOSFET kanału P

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia:	Stany Zjednoczone
Nazwa handlowa:	onsemi
Numer modelu:	NTJS4151PT1G

Zapłata:

Minimalne zamówienie:	1
Cena:	USD 0.01-20/piece
Szczegóły pakowania:	SMD/SMT DO-214AA-2
Czas dostawy:	5-8 dni roboczych
Zasady płatności:	T/T

Kontakt Rozmawiaj teraz.

Szczegółowy opis produktu

Produkt:	MOSFET	Styl instalacji:	SMD/SMT
Pakiet/pudełko:	SC-88-6	Szereg:	NTJS4151P
Kapsułkowanie:	Szpula, taśma cięta, szpula myszy	Typ produktu:	Mosfets
Waga jednostkowa:	6,200 mg
Podkreślić:	NTJS4151PT1G Tranzystor MOSFET mocy kanału P , NTJS4151PT1G Logiczny poziom Tranzystor MOSFET kanału P , 20V Tranzystor MOSFET mocy kanału P

Producent: onsemi

Kategoria produktu: MOSFET

Technologia: Si

Styl montażu: SMD/SMT

Obudowa / Obudowa: SC-88-6

Polaryzacja tranzystora: P-kanałowy

Liczba kanałów: 1 kanał

Vds - Napięcie przebicia dren-źródło: 20 V

Id - Ciągły prąd drenu: 3.3 A

Rds On - Rezystancja dren-źródło: 205 mOhm

Vgs - Napięcie bramka-źródło: - 12 V, + 12 V

Vgs th - Napięcie progowe bramka-źródło: 1.2 V

Qg - Ładunek bramki: 10 nC

Minimalna temperatura pracy: - 55 C

Maksymalna temperatura pracy: + 150 C

Pd - Rozpraszanie mocy: 1 W

Tryb kanału: Wzmocnienie

Opakowanie: Szpula

Opakowanie: Taśma cięta

Opakowanie: MouseReel

Marka: onsemi

Konfiguracja: Pojedynczy

Czas opadania: 4.2 ns

Transkonduktancja w przód - Min: 12 S

Wysokość: 0.9 mm

Długość: 2 mm

Typ produktu: MOSFETy

Czas narastania: 1.7 ns

Seria: NTJS4151P

Podkategoria: Tranzystory

Typ tranzystora: 1 P-kanałowy

Typ: MOSFET

Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 2.7 ns

Typowy czas opóźnienia włączenia: 0.85 ns

Szerokość: 1.25 mm

Waga jednostkowa: 6.200mg.

Etykietka:

tranzystor MOSFET logic level,

tranzystor MOSFET kanał N,

tranzystor MOSFET typu N

Szczegóły kontaktu

Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Osoba kontaktowa: Hefengxin

Tel: +8613652326683

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas

Inne produkty

Video

SI3454CDV-T1-GE3 Tranzystor MOSFET Oszczędzający Miejsce Przenośny Do Nowoczesnego Zarządzania Energią

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454CDV-T1-E3 Tranzystor MOSFET 650V Wydajny Wysoka Wydajność

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454ADV-T1-E3 Podwójny tranzystor MOSFET N-kanałowy Lekki tranzystor MOSFET N-kanałowy w technologii SI

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454DV-T1-E3 Mosfet IC N-kanałowy Mosfet Wysoka wydajność Montaż SMD/SMT

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454ADV-T1 Tranzystor MOSFET N-kanałowy Mały rozmiar Energooszczędny

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454CDV-T1-GE3 Tranzystor Mosfet P Channel MOSFET Wysokiej Wydajności

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.

Video

SI3454DV-T1-E3 Tranzystor MOSFET Niskiej Mocy Mosfet P Channel Lekki

Produkt: MOSFET

Styl instalacji: SMD/SMT

Pakiet/pudełko: TSOP-6

Kapsułkowanie: Szpula, taśma cięta, szpula myszy

Rozmawiaj teraz.