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Aperçu ProduitsTransistor de transistor MOSFET

NTJS4151PT1G MOSFET de puissance canal P 20V 4,2A Niveau logique MOSFET canal P

NTJS4151PT1G MOSFET de puissance canal P 20V 4,2A Niveau logique MOSFET canal P

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: onsemi
Numéro de modèle: NTJS4151PT1G
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS DO-214AA-2
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Transistor MOSFET Style d'installation: SMD / SMT
Package / boîte: SC-88-6 Série: NTJS4151P
Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris Type de produit: Mosfets
Poids unitaire: 6.200mg
Mettre en évidence:

NTJS4151PT1G MOSFET de puissance canal P

,

NTJS4151PT1G MOSFET canal P niveau logique

,

MOSFET de puissance canal P 20V

Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style de montage : SMD/SMT
Boîtier / Conditionnement : SC-88-6
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 3,3 A
Rds On - Résistance drain-source : 205 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 12 V, + 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,2 V
Qg - Charge de grille : 10 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 1 W
Mode de canal : Amélioration
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de ruban
Conditionnement : MouseReel
Marque : onsemi
Configuration : Simple
Temps de descente : 4,2 ns
Transconductance directe - Min : 12 S
Hauteur : 0,9 mm
Longueur : 2 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 1,7 ns
Série : NTJS4151P
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Temps de retard de désactivation typique : 2,7 ns
Temps de retard d'activation typique : 0,85 ns
Largeur : 1,25 mm
Poids unitaire : 6,200 mg.
NTJS4151PT1G.PDF

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