NTJS4151PT1G MOSFET di potenza a canale P 20V 4,2A MOSFET a canale P a livello logico

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	onsemi
Numero di modello:	NTJS4151PT1G

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT DO-214AA-2
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SC-88-6	Serie:	NTJS4151P
Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Tipo di prodotto:	MOSFET
Peso unitario:	6.200 mg
Evidenziare:	NTJS4151PT1G MOSFET di potenza a canale P , NTJS4151PT1G MOSFET a canale P a livello logico , MOSFET di potenza a canale P 20V

Produttore: onsemi

Categoria prodotto: MOSFET

Tecnologia: Si

Stile di montaggio: SMD/SMT

Package / Case: SC-88-6

Polarità del transistore: P-Channel

Numero di canali: 1 canale

Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 20 V

Id - Corrente di drain continua: 3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source: 205 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source: - 12 V, + 12 V

Vgs th - Tensione di soglia Gate-Source: 1.2 V

Qg - Carica del gate: 10 nC

Temperatura minima di esercizio: - 55 C

Temperatura massima di esercizio: + 150 C

Pd - Dissipazione di potenza: 1 W

Modalità canale: Enhancement

Confezione: Bobina

Confezione: Nastro tagliato

Confezione: MouseReel

Marca: onsemi

Configurazione: Singolo

Tempo di caduta: 4.2 ns

Transconduttanza diretta - Min: 12 S

Altezza: 0.9 mm

Lunghezza: 2 mm

Tipo di prodotto: MOSFET

Tempo di salita: 1.7 ns

Serie: NTJS4151P

Sottocategoria: Transistor

Tipo di transistore: 1 P-Channel

Tipo: MOSFET

Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 2.7 ns

Tempo di ritardo tipico di accensione: 0.85 ns

Larghezza: 1.25 mm

Peso unitario: 6.200mg.

Prodotto Tag:

MOSFET a livello logico,

Manica del MOSFET N,

MOSFET di tipo N

Dettagli di contatto

Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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