NTJS4151PT1G MOSFET de Potência Canal P 20V 4,2A Nível Lógico MOSFET Canal P

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Estados Unidos
Marca:	onsemi
Número do modelo:	NTJS4151PT1G

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT DO-214AA-2
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

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Descrição de produto detalhada

Produto:	MOSFET	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SC-88-6	Série:	NTJS4151P
Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel	Tipo de produto:	MOSFETS
Peso unitário:	6.200mg
Destacar:	NTJS4151PT1G MOSFET de Potência Canal P , NTJS4151PT1G MOSFET Canal P Nível Lógico , MOSFET de Potência Canal P 20V

Fabricante: onsemi

Categoria de produto: MOSFET

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: SMD/SMT

Pacote / Caixa: SC-88-6

Polaridade do transistor: Canal P

Número de canais: 1 canal

Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V

Id - Corrente contínua do dreno: 3.3 A

Rds On - Resistência dreno-fonte: 205 mOhms

Vgs - Tensão porta-fonte: - 12 V, + 12 V

Vgs th - Tensão de limiar porta-fonte: 1.2 V

Qg - Carga da porta: 10 nC

Temperatura mínima de operação: - 55 C

Temperatura máxima de operação: + 150 C

Pd - Dissipação de potência: 1 W

Modo de canal: Aperfeiçoamento

Embalagem: Carretel

Embalagem: Fita cortada

Embalagem: MouseReel

Marca: onsemi

Configuração: Único

Tempo de queda: 4.2 ns

Transcondutância direta - Mín: 12 S

Altura: 0.9 mm

Comprimento: 2 mm

Tipo de produto: MOSFETs

Tempo de subida: 1.7 ns

Série: NTJS4151P

Subcategoria: Transistores

Tipo de transistor: 1 Canal P

Tipo: MOSFET

Tempo típico de atraso de desligamento: 2.7 ns

Tempo típico de atraso de ativação: 0.85 ns

Largura: 1.25 mm

Peso unitário: 6.200mg.

etiqueta:

MOSFET de nível lógico,

Canal do MOSFET N,

MOSFET de tipo N

Contacto

Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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