NTJS4151PT1G MOSFET -20В -4.2A P-канальный

Производитель: onsemi
Категория продукта: MOSFET
Технология: si
Стиль монтажа: SMD/SMT
Корпус/упаковка: SC-88-6
Полярность транзистора: p-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 20 В
Id - непрерывный ток стока: 3.3 А
Rds(on) - сопротивление сток-исток во включенном состоянии: 205 мОм
Vgs - напряжение затвор-исток: -12 В, +12 В
Vgs(th) - пороговое напряжение затвор-исток: 1.2 В
Qg - заряд затвора: 10 нКл
Минимальная рабочая температура: -55 °C
Максимальная рабочая температура: +150 °C
Pd - рассеиваемая мощность: 1 Вт
Режим канала: Улучшение
Упаковка: Лента
Упаковка: Отрезок ленты
Тип упаковки: MouseReel
Торговая марка: onsemi
Конфигурация: Одиночный
Время спада: 4.2 нс
Прямая проводимость (минимум): 12 См
Высота: 0.9 мм
Длина: 2 мм
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 1.7 нс
Серия: NTJS4151P
Подкатегория: Транзисторы
Тип транзистора: 1 p-канальный
Тип: MOSFET
Типичное время задержки выключения: 2.7 нс
Типичное время задержки включения: 0.85 нс
Ширина: 1.25 мм
Вес единицы: 6.200 мг

NTJS4151PT1G.PDF