NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A P-Kanal

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SC-88-6
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 3,3 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 205 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1,2 V
Qg - Gate-Ladung: 10 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 1 W
Kanalmodus: Enhancement
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: onsemi
Konfiguration: Einzeln
Abfallzeit: 4,2 ns
Vorwärtstranskonduktanz - Minimum: 12 S
Höhe: 0,9 mm
Länge: 2 mm
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 1,7 ns
Serie: NTJS4151P
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typ: MOSFET
Typische Abschaltverzögerungszeit: 2,7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 0,85 ns
Breite: 1,25 mm
Einheitsgewicht: 6,200 mg

NTJS4151PT1G.PDF