NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A Canal P

Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SC-88-6
Polaridade do transistor: canal p
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V
Id - corrente contínua de dreno: 3,3 A
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 205 mOhms
Vgs - tensão porta-fonte: -12 V, +12 V
Vgs th - tensão de limiar porta-fonte: 1,2 V
Qg - carga da porta: 10 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 1 W
Modo de canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: onsemi
Configuração: Único
Tempo de descida: 4,2 ns
Transcondutância direta - mínimo: 12 S
Altura: 0,9 mm
Comprimento: 2 mm
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 1,7 ns
Série: NTJS4151P
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal P
Tipo: MOSFET
Tempo típico de atraso de fechamento: 2,7 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 0,85 ns
Largura: 1,25 mm
Peso unitário: 6,200 mg

NTJS4151PT1G.PDF