MOSFET NTJS4151PT1G -20V -4.2A Canal P

Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SC-88-6
Polarité du transistor : canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 3,3 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 205 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -12 V, +12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,2 V
Qg - Charge de grille : 10 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 1 W
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : onsemi
Configuration : Simple
Temps de descente : 4,2 ns
Transconductance directe - minimum : 12 S
Hauteur : 0,9 mm
Longueur : 2 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 1,7 ns
Série : NTJS4151P
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Temps de retard de fermeture typique : 2,7 ns
Temps de retard d'activation typique : 0,85 ns
Largeur : 1,25 mm
Poids unitaire : 6,200 mg

NTJS4151PT1G.PDF