NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A P-Channel

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SC-88-6
Polarità del transistor: canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 3,3 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 205 mOhm
Vgs - Tensione gate-source: -12 V, +12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1,2 V
Qg - Carica del gate: 10 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 1 W
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: onsemi
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 4,2 ns
Transconduttanza diretta - minima: 12 S
Altezza: 0,9 mm
Lunghezza: 2 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 1,7 ns
Serie: NTJS4151P
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 2,7 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 0,85 ns
Larghezza: 1,25 mm
Peso unitario: 6,200 mg

NTJS4151PT1G.PDF