NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A Canal P

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SC-88-6
Polaridad del transistor: canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 20 V
Id - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 205 mOhmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -12 V, +12 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1.2 V
Qg - Carga de puerta: 10 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 °C
Pd - Disipación de potencia: 1 W
Modo de canal: Mejora
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: onsemi
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 4.2 ns
Transconductancia directa - mínima: 12 S
Altura: 0.9 mm
Longitud: 2 mm
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 1.7 ns
Serie: NTJS4151P
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 canal P
Tipo: MOSFET
Tiempo de retardo de cierre típico: 2.7 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 0.85 ns
Ancho: 1.25 mm
Peso unitario: 6.200 mg

NTJS4151PT1G.PDF