NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A P-kanał

Producent: onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Obudowa/opakowanie: SC-88-6
Polaryzacja tranzystora: p-kanał
Liczba kanałów: 1 kanał
Vds - napięcie przebicia dren-źródło: 20 V
Id - ciągły prąd drenu: 3.3 A
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 205 mOhm
Vgs - napięcie bramka-źródło: -12 V, +12 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 1.2 V
Qg - ładunek bramki: 10 nC
Minimalna temperatura pracy: -55°C
Maksymalna temperatura pracy: +150°C
Pd - rozpraszanie mocy: 1 W
Tryb kanału: Wzmocnienie
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Pakowanie: MouseReel
Znak towarowy: onsemi
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas narastania: 4.2 ns
Przewodnictwo w przód - minimum: 12 S
Wysokość: 0.9 mm
Długość: 2 mm
Typ produktu: MOSFETy
Czas narastania: 1.7 ns
Seria: NTJS4151P
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 1 P-kanał
Typ: MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączania: 2.7 ns
Typowy czas opóźnienia włączania: 0.85 ns
Szerokość: 1.25 mm
Waga jednostkowa: 6.200 mg

NTJS4151PT1G.PDF