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제품 소개이산 반도체 장치

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린

  • N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린
  • N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린
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  • N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린
N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린
제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: INFINEON
인증: ISO9001
모델 번호: IPN70R360P7S
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=2pcs
가격: $0.98
포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)는 테이프 (CT) Digi 릴을 줄입니다
배달 시간: 2-3Days
지불 조건: L/C, T/T, D/A, D/P, 웨스턴 유니온,
공급 능력: Day+pcs+2-7days 당 99000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
패키지 / 건: TO-261-4 증가하는 타입: 표면 실장 유형
작동 온도: -40' C ~ 150' C(TJ) 드레인 소스 전압(Vdss): 700 V
강조하다:

FET 이산 반도체 장치

,

n채널 이산 반도체 장치

,

IPN70R360P7S

IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린 70S360 n-채널 전계효과 트랜지스터 브랜드 뉴와 원래 집적 회로 칩

제품 설명

부품번호 IPN70R360P7S는 인피네온에 의해 제조되 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

IPN70R360P7S에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 IPN70R360P7S를 당신의 메시지에 더합니다. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

상품 특성

제품 상태
활동가
FET은 타이핑합니다
엔-채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
700 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
12.5A (Tc)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
3A, 10V에 있는 360mOhm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
150uA에 있는 3.5V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
16.4 10 V에 있는 nC
브그스 (맥스)
±16V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
400 V에 있는 517 pF
FET 특징
-
전력 소모 (맥스)
7.2W (Tc)
작동 온도
-40' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입
표면 부착
공급자 소자 패키지
PG-SOT223
패키지 / 건
TO-261-4, TO-261AA
베이스 상품 다수
IPN70R360

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린 0

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린 1

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린 2

N채널 FET 이산 반도체 장치 IPN70R360P7S SOT-223 실크 스크린 3

연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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