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Tela de seda discreta de dispositivos de semicondutor IPN70R360P7S do FET do canal de N SOT-223

Tela de seda discreta de dispositivos de semicondutor IPN70R360P7S do FET do canal de N SOT-223

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Tela de seda discreta de dispositivos de semicondutor IPN70R360P7S do FET do canal de N SOT-223
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: INFINEON
Certificação: ISO9001
Número do modelo: IPN70R360P7S
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=2pcs
Preço: $0.98
Detalhes da embalagem: Digi-carretel da fita & da fita do corte do carretel (TR) (CT)
Tempo de entrega: 2-3Days
Termos de pagamento: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Habilidade da fonte: 99000 acres/acres por Day+pcs+2-7days
Contato
Descrição de produto detalhada
Pacote/caso: TO-261-4 Montando o tipo: Tipo de montagem em superfície
Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 150°C (TJ) Tensão da fonte de dreno (Vdss): 700 V
Destacar:

Dispositivos de semicondutor discretos do FET

,

Dispositivos de semicondutor discretos do canal de N

,

IPN70R360P7S

Microplaqueta brandnew e original do FET do N-canal da tela de seda 70S360 de IPN70R360P7S SOT-223 do circuito integrado

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça IPN70R360P7S é fabricada por INFINEON e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de IPN70R360P7S detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade IPN70R360P7S a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
700 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 150µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
nC 16,4 @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
517 PF @ 400 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
7.2W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-SOT223
Pacote/caso
TO-261-4, TO-261AA
Número baixo do produto
IPN70R360

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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