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NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン

NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン

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NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン
商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: INFINEON
証明: ISO9001
モデル番号: IPN70R360P7S
お支払配送条件:
最小注文数量: >=2pcs
価格: $0.98
パッケージの詳細: テープ及び巻き枠(TR)の切口テープ(CT) Digi巻き枠
受渡し時間: 2-3Days
支払条件: L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、
供給の能力: Day+pcs+2-7daysごとの99000のエーカー/エーカー
連絡先
詳細製品概要
パッケージ/場合: TO-261-4 タイプの取付け: 表面実装タイプ
実用温度: -40°C | 150°C (TJ) ドレイン・ソース電圧 (Vdss): 700ボルト
ハイライト:

FETの分離した半導体デバイス

,

Nチャネルの分離した半導体デバイス

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IPN70R360P7S

IPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン70S360のN-Channel FETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

製品の説明

部品番号IPN70R360P7SはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

IPN70R360P7Sのより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量IPN70R360P7Sを加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

プロダクト特性

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
700ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
12.5A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
10V
(最高) @ ID、VgsのRds
360mOhm @ 3A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
3.5V @ 150µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
16.4のNC @ 10ボルト
Vgs (最高)
±16V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
517 pF @ 400ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
7.2W (Tc)
実用温度
-40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
PG-SOT223
パッケージ/場合
TO-261-4、TO-261AA
基礎プロダクト数
IPN70R360

NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン 0

NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン 1

NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン 2

NチャネルFETの分離した半導体デバイスIPN70R360P7S SOT-223のシルク スクリーン 3

連絡先の詳細
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

コンタクトパーソン: Tom Guo

電話番号: +8613822899993

私達に直接お問い合わせを送信
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