起源の場所: | 中国、広東省、シンセン |
ブランド名: | Infineon Technologies |
証明: | ISO9001 |
モデル番号: | BSS138W H6327 |
最小注文数量: | >=20pcs |
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価格: | $5.5 |
パッケージの詳細: | テープ及び巻き枠(TR)の切口テープ(CT) Digi巻き枠 |
受渡し時間: | 2-5日 |
支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオン、D/P、D/A、、L/C |
供給の能力: | Day+pcs+1-2daysごとの10000のエーカー/エーカー |
記述: | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 | パッケージ/場合: | SC-70、SOT-323 |
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タイプの取付け: | 表面の台紙 | 実用温度: | -55℃~150℃(TJ) |
電圧-供給: | 4.5V、10V | FETタイプ: | Nチャンネル |
プロダクト状態: | 活動的 | 基礎プロダクト数: | BSS138 |
製品の説明
部品番号BSS138W H6327は私達が販売するプロダクトの1つである。BSS138W H6327か関連製品を必要としたら、製品仕様書、量および包装の条件を私達に与えなさい。プロダクト映像を付けることはよく私達は引用語句をできるだけ早く与える。
プロダクト特性
プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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60ボルト
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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280mA (Ta)
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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3.5Ohm @ 200mA、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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1.4V @ 26µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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1.5 NC @ 10ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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43 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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500mW (Ta)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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PG-SOT323
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パッケージ/場合
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SC-70、SOT-323
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基礎プロダクト数
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BSS138
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コンタクトパーソン: Tom Guo
電話番号: +8613822899993
16ビットの埋め込まれたアプリケーション特有のマイクロ制御回路SLB9670VQ20FW785XTMA1
元の卸し業者電子ICの破片XC7K480T-2FFG1156I 1156-BBGA ISO9001
調節可能なプログラム可能なICの破片NCP380LMUAJAATBG-NCP380-QFN6の電源スイッチ/運転者の1:1のP-Channel
プログラム可能なICの破片XC7K410T-2FBG676I - xilinx - XC7K410論理のセル アレイ家族
8ビット16MHz 32KBプログラム可能なICの破片STM8Sのマイクロ制御回路IC 32-LQFP STM8S005K6T6C
32ビット単心コンピュータICは48MHz 128KB抜け目がない48-UFQFPN STM32F0のディストリビューターを欠く