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IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A

IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A

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IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A
商品の詳細:
ブランド名: INFINEON
モデル番号: IRFB4227PBF
お支払配送条件:
最小注文数量: >=1pcs
価格: request for need
パッケージの詳細: テープ
受渡し時間: 2-3Days
支払条件: L/C、T/T、D/A、D/P、ウエスタンユニオン、MoneyGram
供給の能力: Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
連絡先
詳細製品概要
パッケージ/場合: TO-220 実用温度:: -40°C | 175°C (TJ)
設置タイプ: 表面の台紙 消費電力: 330W (Tc)
ハイライト:

65A分離した半導体デバイス

,

200V分離した半導体デバイス

,

IRFB4227PBF

インラインにIRFB4227PBF TO-220のN-channel 200V/65A MOSFETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

 

製品の説明

 

部品番号IRFB4227PBFはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

 

IRFB4227PBFのより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量IRFB4227PBFを加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

 

プロダクト特性

 

プロダクト状態
活動的
訳者のタイプ
-
チャネル タイプ
-
回路の数
-
回路ごとのチャネル
-
流出させなさい源の電圧(Vdss)を
200V
電圧の運転
10V
入力信号
-
出力信号
-
設置タイプ
表面の台紙
データ転送速度
-
実用温度
-40°C | 175°C (TJ)
特徴
-
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
TO-220-3
製造者装置パッケージ
TO-220AB
基礎プロダクト数
IRFB4227

 

 

IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A 0

 

IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A 1

IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A 2

 

IRFB4227PBF TO-220の分離した半導体デバイス、NチャネルMosfet 200V 65A 3

連絡先の詳細
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

コンタクトパーソン: Tom Guo

電話番号: +8613822899993

私達に直接お問い合わせを送信
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