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Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

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Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: INFINEON
Certificación: ISO9001
Número de modelo: IPN70R360P7S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=2pcs
Precio: $0.98
Detalles de empaquetado: Digi-carrete de la cinta y de la cinta del corte del carrete (TR) (CT)
Tiempo de entrega: 2-3Days
Condiciones de pago: LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente: 99000 acres/acres por Day+pcs+2-7days
Contacto
Descripción detallada del producto
Paquete/caso: TO-261-4 Montaje del tipo: Tipo de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ) Tensión de fuente de drenaje (Vdss): 700 V
Resaltar:

Dispositivos de semiconductor discretos del FET

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Dispositivos de semiconductor discretos del canal N

,

IPN70R360P7S

Microprocesador a estrenar y original del FET del canal N de la pantalla de seda 70S360 de IPN70R360P7S SOT-223 del circuito integrado

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte IPN70R360P7S es fabricado por INFINEON y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre IPN70R360P7S detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad IPN70R360P7S a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
700 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
12.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
nC 16,4 @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
517 PF @ 400 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
7.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Paquete/caso
TO-261-4, TO-261AA
Número bajo del producto
IPN70R360

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223 0

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223 1

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223 2

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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