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LA ELECTRÓNICA CO. DE STJK (HK), LIMITÓ

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Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327

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Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327
Datos del producto:
Lugar de origen: China, Guangdong, Shenzhen
Nombre de la marca: Infineon Technologies
Certificación: ISO9001
Número de modelo: BSS138W H6327
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=20pcs
Precio: $5.5
Detalles de empaquetado: Digi-carrete de la cinta y de la cinta del corte del carrete (TR) (CT)
Tiempo de entrega: 2-5 días
Condiciones de pago: T/T, Western Union, D/P, D/A, , L/C
Capacidad de la fuente: 10000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Paquete/caso: SC-70, SOT-323
Montaje del tipo: Soporte superficial Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje - fuente: 4,5 V, 10 V Tipo FET: Canal N
Situación del producto: Activo Número bajo del producto: BSS138

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte BSS138W H6327 es uno de los productos que vendemos. Si usted necesita BSS138W H6327 o sus productos relacionados, provea por favor de nosotros las especificaciones de producto, la cantidad y los requisitos de empaquetado. Sería mejor atar imágenes del producto, y le daremos una cita cuanto antes.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
280mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.4V @ 26µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
1,5 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
43 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
500mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT323
Paquete/caso
SC-70, SOT-323
Número bajo del producto
BSS138

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327 0

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327 1

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327 2

Soporte superficial discreto PG-SOT323 del canal N 60 V 280mA 500mW de los dispositivos de semiconductor BSS138W H6327 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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