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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223

  • Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223
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Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: INFINEON
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: IPN70R360P7S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=2pcs
Preis: $0.98
Verpackung Informationen: Band-u. Schnitt-des Band-(CT) Digi-Spule der Spulen-(TR)
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 99000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+2-7days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Paket/Fall: TO-261-4 Befestigung der Art: Oberflächenmontagetyp
Betriebstemperatur: -40°C | 150°C (TJ) Drain-Source-Spannung (Vdss): 700 V
Hervorheben:

Getrennte Halbleiterbauelemente FET

,

N-Kanal-getrennte Halbleiterbauelemente

,

IPN70R360P7S

N-Kanal FET IPN70R360P7S SOT-223 Siebdruck-70S360 nagelneuer und ursprünglicher der integrierten Schaltung Chip

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Teilnummer IPN70R360P7S wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

Zu mehr Information über IPN70R360P7S Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität IPN70R360P7S Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
700 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
12.5A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
3.5V @ 150µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
nC 16,4 @ 10 V
Vgs (maximal)
±16V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
517 PF @ 400 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
7.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
PG-SOT223
Paket/Fall
TO-261-4, TO-261AA
Niedrige Produkt-Zahl
IPN70R360

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223 0

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223 1

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223 2

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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