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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Getrennte Halbleiterbauelemente

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China STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED zertifizierungen
China STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED zertifizierungen
Kunden-Berichte
Die Zusammenarbeit ist sehr angenehm. Die Produkte sind und von der guten Qualität ursprünglich!

—— Herr De Gaulle

Freundlicher Service, gute Produktqualität, schnelle Lieferung!

—— Mr.Aldrich

Getrennte Halbleiterbauelemente

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China FET-Großhändler MOS Halbleiter IRFP3306PBF TO-247 integrierter Schaltung 60V 110A Fabrik

FET-Großhändler MOS Halbleiter IRFP3306PBF TO-247 integrierter Schaltung 60V 110A

Hohe Leistung IRFP3306PBF TO-247 MOS FET 60V 110A und hoher Strom PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer IRFP3306PBF wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:38:24
China Getrennte Halbleiterbauelemente IRFB4227PBF TO-220, n-Kanal Mosfet 200V 65A Fabrik

Getrennte Halbleiterbauelemente IRFB4227PBF TO-220, n-Kanal Mosfet 200V 65A

N-Kanal 200V/65A IRFB4227PBF TO-220 inline nagelneuer und ursprünglicher der integrierten Schaltung Chip MOSFET PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer IRFB4227PBF wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 14:47:27
China IRFB5620PBF TO-220 IC integrierte Kanal FET 200V 25A MOS Wholesaler des Chip-N Fabrik

IRFB5620PBF TO-220 IC integrierte Kanal FET 200V 25A MOS Wholesaler des Chip-N

FET 200V 25A MOS Brand New und ursprünglicher Chip N-Kanal IRFB5620PBF TO-220 der integrierten Schaltung PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer IRFB5620PBF wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch Stjk. Als ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:36:13
China Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW Fabrik

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW

Vor-voreingenommenes bipolar Transistor PNP - Vor-voreingenommene 50 V 100 MA 80 MHZ 200 MW UNR211300L PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer UNR211300L wird durch elektronische Bauelemente Panasonics hergestellt und ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 14:51:42
China Siebdruck 4N0604 FET MOSFET-integrierter Schaltung des Chip-IPD90N06S4-04 TO-252 60V 90A Fabrik

Siebdruck 4N0604 FET MOSFET-integrierter Schaltung des Chip-IPD90N06S4-04 TO-252 60V 90A

IPD90N06S4-04 TO-252 60V 90A FET MOSFET-Siebdruck 4N0604 nagelneuer und ursprünglicher der integrierten Schaltung Chip PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer IPD90N06S4-04 wird durch INFINEON hergestellt und verteilt ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:20:51
China Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223 Fabrik

Getrennter Siebdruck n-Kanal FET Halbleiterbauelement-IPN70R360P7S SOT-223

N-Kanal FET IPN70R360P7S SOT-223 Siebdruck-70S360 nagelneuer und ursprünglicher der integrierten Schaltung Chip PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer IPN70R360P7S wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 14:53:27
China Justierbarer linearer Verteiler Spannungs-Regler ICs LT1764AEQ#TRPBF 3A 5-DDPAK Fabrik

Justierbarer linearer Verteiler Spannungs-Regler ICs LT1764AEQ#TRPBF 3A 5-DDPAK

Gab justierbarer linearer Spannungs-Regler IC Positive1 LT1764AEQ#TRPBF 3A 5-DDPAK aus PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer LT1764AEQ#TRPBF wird durch LINEARES hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der f... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:16:36
China NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW Fabrik

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW

Getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Halbleiterbauelement-NS9210B-0-175 der Zenerdiode-43 V 225 MW ±5% PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer NS9210B-0-175 wird durch onsemi hergestellt und verteilt durch ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:01:55
China Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390 Fabrik

Getrennte Halbleiterbauelemente 30V 900mA 350mW 5.43W der FETs-N des Kanal-PMZ390

Getrennte Transistoren des Halbleiter-PMZ390 - FETs-N-Kanal 30 V 900mA (Ta) 350mW (Ta), Oberflächenberg 5.43W (Tc) TRUNKENBOLD PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer PMZ390UNEYL wird durch NXP hergestellt und verteilt ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:10:15
China LTC2238CUH#TRPBF-Datenerfassung IC, 10 biss Analog-Digitalkonverter 32-QFN Fabrik

LTC2238CUH#TRPBF-Datenerfassung IC, 10 biss Analog-Digitalkonverter 32-QFN

Bit-Analog-Digitalkonverter 1 Datenerfassung ICs LTC2238CUH#TRPBF 10 gab 1 durch Rohre geleitetes 32-QFN ein PRODUKT-BESCHREIBUNG Teilnummer LTC2238CUH#TRPBF wird durch elektronische Bauelemente Panasonics ... Lesen Sie weiter Bestpreis
2023-01-11 15:14:10
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