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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Startseite ProdukteGetrennte Halbleiterbauelemente

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW

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NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: onsemi
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: NS9210B-0-175
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=2pcs
Preis: $1.68
Verpackung Informationen: Band u. Spule; Schneiden Sie Band; Digi-Spule
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: L/C, Western Union, , D/A, D/P, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 20000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+2-3days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Beschreibung: DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3 Befestigung der Art: Oberflächenberg
Betriebstemperatur: -65°C | 150°C Paket/Fall: TRUNKENBOLD
Spannung - Versorgung: 43 V Leistung max: 225mW
Widerstand (maximal) (Zzt): 93 Ohm Niedrige Produkt-Zahl: SZMMBZ5260
Produkt-Status: Aktiv
Hervorheben:

Getrennte Halbleiterbauelemente 43V

,

Getrennte Halbleiterbauelemente 225MW

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Getrennter Halbleiter NS9210B-0-175

Getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Halbleiterbauelement-NS9210B-0-175 der Zenerdiode-43 V 225 MW ±5%

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Teilnummer NS9210B-0-175 wird durch onsemi hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

Zu mehr Information über NS9210B-0-175 Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität NS9210B-0-175 Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft
Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
40V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
10A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2.7V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1950pF @ 20V
Macht- maximales
2W
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art

Oberflächenberg

Paket/Fall
8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
Lieferanten-Gerät-Paket
8-SOIC

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW 0

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW 1

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW 2

NS9210B-0-175 getrennter Oberflächenberg SOT-23-3 TO-236 der Halbleiterbauelement-43V 225MW 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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