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Casa ProdutosDispositivos de semicondutor discretos

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW

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Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: onsemi
Certificação: ISO9001
Número do modelo: NS9210B-0-175
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=2pcs
Preço: $1.68
Detalhes da embalagem: Fita & carretel; Corte a fita; Digi-carretel
Tempo de entrega: 2-3Days
Termos de pagamento: L/C, Western Union, , D/A, D/P, T/T
Habilidade da fonte: 20000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Contato
Descrição de produto detalhada
Descrição: DIODO ZENER 43V 225MW SOT23-3 Montando o tipo: Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento: -65°C ~ 150°C Pacote/caso: ÉBRIO
Tensão - fonte: 43 V Potência - Máx.: 225 mW
Impedância (máxima) (Zzt): 93 ohms Número baixo do produto: SZMMBZ5260
Estado do produto: Ativo
Destacar:

Dispositivos de semicondutor discretos 43V

,

Dispositivos de semicondutor discretos 225MW

,

Semicondutor NS9210B-0-175 discreto

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 do diodo 43 V 225 MW ±5% de Zener dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 (TO-236)

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça NS9210B-0-175 é fabricada pelo onsemi e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de NS9210B-0-175 detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade NS9210B-0-175 a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET
Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)
40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
10A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo

Montagem de superfície

Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW 0

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW 1

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW 2

Montagem de superfície discreta SOT-23-3 TO-236 dos dispositivos de semicondutor NS9210B-0-175 43V 225MW 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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