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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Startseite ProdukteGetrennte Halbleiterbauelemente

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P

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3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: onsemi
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: 3LP01SS-TL-H
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=1pcs
Preis: request for need
Verpackung Informationen: TRUNKENBOLD
Lieferzeit: 2-3Days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+1-2days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP Befestigung der Art: Oberflächenberg
Betriebstemperatur: 150°C Paket/Fall: TRUNKENBOLD
Spannung - Versorgung: 30 V Leistung max: 150 mW (Ta)
Widerstand (maximal) (Zzt): 0.4Ohm Niedrige Produkt-Zahl: 3LP01
Produkt-Status: Aktiv
Hervorheben:

Getrennter Kanal der Halbleiterbauelement-P

,

Getrennte Halbleiterbauelemente 150mW

,

Getrennter Halbleiter 3LP01SS-TL-H

Getrennter des Halbleiter-3LP01SS-TL-H Berg SMCP Produkt-des P-Kanal-30 V 100mA (Ta) der Oberflächen-150mW (Ta)

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Teilnummer 3LP01SS-TL-H wird durch onsemi hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

Zu mehr Information über 3LP01SS-TL-H Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität 3LP01SS-TL-H Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft
Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
40V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
10A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2.7V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
33nC @ 10V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
1950pF @ 20V
Macht- maximales
2W
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art

Oberflächenberg

Paket/Fall
8-SOIC (0,154", 3.90mm Breite)
Lieferanten-Gerät-Paket
8-SOIC

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P 0

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P 1

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P 2

3LP01SS-TL-H getrennter Kanal 30V 100mA 150mW der Halbleiterbauelement-P 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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