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Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P

  • Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P
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Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: onsemi
Certificación: ISO9001
Número de modelo: 3LP01SS-TL-H
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: >=1pcs
Precio: request for need
Detalles de empaquetado: BORRACHÍN
Tiempo de entrega: 2-3Days
Capacidad de la fuente: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contacto
Descripción detallada del producto
Descripción: MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP Montaje del tipo: Soporte superficial
Temperatura de funcionamiento: 150°C Paquete/caso: BORRACHÍN
Voltaje - fuente: 30 voltios Potencia - Máx.: 150 mW (Ta)
Impedancia (máxima) (Zzt): 0.4Ohm Número bajo del producto: 3LP01
Situación del producto: Activo
Resaltar:

Canal discreto de los dispositivos de semiconductor P

,

Dispositivos de semiconductor discretos 150mW

,

Semiconductor discreto 3LP01SS-TL-H

Soporte discreto SMCP de la superficie 150mW (TA) del P-canal 30 V 100mA (TA) de los productos de semiconductor 3LP01SS-TL-H

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

El número de parte 3LP01SS-TL-H es fabricado por onsemi y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.

Para más información sobre 3LP01SS-TL-H detalló las especificaciones, citas, de ejecución los plazos, condiciones de pago y más, no vacile por favor entrarnos en contacto con. Para procesar su investigación, añada por favor la cantidad 3LP01SS-TL-H a su mensaje. Ahora envíe un correo electrónico a stjkelec@hotmail.com para una cita.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N 2 (dual)
Característica del FET
Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
10A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo

Soporte superficial

Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P 0

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P 1

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P 2

Canal discreto 30V 100mA 150mW de los dispositivos de semiconductor 3LP01SS-TL-H P 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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