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A ELETRÔNICA CO. DE STJK (HK), LIMITOU

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Casa ProdutosDispositivos de semicondutor discretos

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

  • Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P
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Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: onsemi
Certificação: ISO9001
Número do modelo: 3LP01SS-TL-H
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=1pcs
Preço: request for need
Detalhes da embalagem: ÉBRIO
Tempo de entrega: 2-3Days
Habilidade da fonte: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contato
Descrição de produto detalhada
Descrição: MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP Montando o tipo: Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento: 150°C Pacote/caso: ÉBRIO
Tensão - fonte: 30 V Potência - Máx.: 150mW (Ta)
Impedância (máxima) (Zzt): 0.4Ohm Número baixo do produto: 3LP01
Estado do produto: Ativo
Destacar:

Canal discreto dos dispositivos de semicondutor P

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Dispositivos de semicondutor discretos 150mW

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Semicondutor 3LP01SS-TL-H discreto

Montagem discreta SMCP da superfície 150mW do P-canal 30 V 100mA dos produtos de semicondutor 3LP01SS-TL-H (Ta) (Ta)

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça 3LP01SS-TL-H é fabricada pelo onsemi e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de 3LP01SS-TL-H detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade 3LP01SS-TL-H a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET
Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)
40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
10A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo

Montagem de superfície

Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P 0

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P 1

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P 2

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P 3

Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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