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제품 소개이산 반도체 장치

5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP

5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP

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5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP
제품 상세 정보:
원래 장소: China,GuangDong,ShenZhen
브랜드 이름: Analog Devices Inc.
인증: ISO9001
모델 번호: ADUM4138WBRNZ-RL
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=5pcs
가격: ¥5.19
포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)는 테이프 (CT) Digi 릴을 줄입니다
배달 시간: 0 일
지불 조건: T/T, 웨스턴 유니온, D/P, D/A,
공급 능력: Day+pcs+2-7days 당 65000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
상세한 설명: ISO IGBT 게이트 DRIVERW / 플라이백 CO 전압 - 공급: 12V ~ 25V
작동 온도: -40' C ~ 150' C 패키지 / 건: 28-BSSOP
증가하는 타입: 표면 부착 베이스 상품 다수: ADUM4138
강조하다:

5000Vrms 이산 반도체 장치

,

고립된 이산 반도체 장치

,

절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP

6A 게이트 절연체 드라이버 자기결합 5000Vrms 1 채널 28 SOIC-W-FP ADUM4138WBRNZ-RL

제품 설명

부품번호 ADUM4138WBRNZ-RL은 TI 기술에 의해 제조되고 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

ADUM4138WBRNZ-RL에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 ADUM4138WBRNZ-RL을 당신의 메시지에 더합니다. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

상품 특성

제품 상태
활동가
기술
자기결합
채널 수
1
전압 - 차단
5000Vrms
(민) 공통 모드 트랜지엔트 면역
150kV/us
전달 지연 트플에 / 티피하들 (맥스)
130 나노 초, 121 나노 초
펄스 폭 왜곡 (맥스)
-
상승 / 강하 시간 (Typ)
95 나노 초, 100 나노 초
경향 - 낮은 출력 하이
-
경향 - 피크 출력
6A
전압 - 포워드 (Vf) (Typ)
-
전압 - 출력 공급
12V ~ 25V
작동 온도
-40' C ~ 150' C
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
28 BSSOP (0.295 ", 7.50 밀리미터 폭)
공급자 소자 패키지
28 SOIC-W-FP
승인 에이전시
CSA, UL, VDE
베이스 상품 다수
ADUM4138

5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP 0

5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP 1
5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP 2
5000Vrms 1 채널 이산 반도체 장치, 절연 게이트 구동기 집적회로 28 SOIC-W-FP 3

연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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