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제품 소개이산 반도체 장치

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323

  • 이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323
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이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323
제품 상세 정보:
원래 장소: China,GuangDong,ShenZhen
브랜드 이름: Infineon Technologies
인증: ISO9001
모델 번호: BSS138W H6327
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=20pcs
가격: $5.5
포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)는 테이프 (CT) Digi 릴을 줄입니다
배달 시간: 2-5일
지불 조건: 웨스턴 유니온, D/P (지급도 조건), 인수 인도, 머니그램, L/C (신용장)인 전신환
공급 능력: Day+pcs+1-2days 당 10000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
기술: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 패키지 / 건: SC-70, SOT-323
증가하는 타입: 표면 부착 작동 온도: -55°C ~ 150°C(TJ)
전압 - 공급: 4.5V, 10V FET 유형: N채널
제품 상태: 활동가 베이스 상품 다수: BSS138

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323

제품 설명

부품번호 BSS138W H6327은 우리가 파는 제품 중 하나입니다. 만약 당신이 BSS138W H6327 또는 그것의 관련 상품을 필요로 하면, 우리에게 품질 규격, 양과 패키징 요구를 제공하세요. 그것은 더 잘 물품 사진을 첨부할 것이고 우리가 최대한 빨리 당신에게 인용을 줄 것입니다.

상품 특성

제품 상태
활동가
FET은 타이핑합니다
엔-채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
60 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
280mA (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
4.5V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
200mA, 10V에 있는 3.5Ohm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
26uA에 있는 1.4V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
1.5 10 V에 있는 nC
브그스 (맥스)
±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
25 V에 있는 43 pF
FET 특징
-
전력 소모 (맥스)
500mW (Ta)
작동 온도
-55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입
표면 부착
공급자 소자 패키지
PG-SOT323
패키지 / 건
SC-70, SOT-323
베이스 상품 다수
BSS138

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323 0

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323 1

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323 2

이산 반도체 장치 BSS138W H6327 엔-채널 60 V 280mA 500mW 표면 부착 PG-SOT323 3

연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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