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BSP33,115 Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) SOT223 80V PNP GP BJT

BSP33,115 Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) SOT223 80V PNP GP BJT

Dettagli:
Luogo di origine: Italia
Marca: Nexperia
Numero di modello: BSP33,115
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-223-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Prodotto: Transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT) Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-223-3 Incapsulazione: Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto: BJT - Transistor bipolari Peso unitario: 112 mg
Evidenziare:

Transistor a giunzione bipolare (BJT) durevole

,

Transistor a giunzione bipolare (BJT) robusto

Produttore: Nexperia
Categoria di prodotto: transistor bipolare-transistor a giunzione bipolare (BJT)
Tecnologia: si
Tipo di installazione: SMD/SMT
Imballaggio/scatola: SOT-223-3
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: singolo
Corrente massima del collettore di corrente continua: 1 A
Tensione massima tra collettore ed emittente VCEO: 80 V.
Tensione di base VCBO: 90 V
Tensione di base dell'emittente VEBO: 5 V
Tensione di saturazione del collettore-emettitore: 500 mV
Pd- dissipazione di potenza: 1,3 W
Prodotto di larghezza di banda di guadagno ft: 100 MHz
Temperatura minima di funzionamento: -65 °C.
Temperatura massima di funzionamento: + 150 C.
Confezione: bobina
Imballaggio: cuttape
Incapsulazione: MouseReel
Marchio: Nexperia
Altezza: 1,7 mm
Lunghezza: 6,7 mm
Tipo di prodotto: BJT-Bipolar Transistor
Sottocategoria: Transistor
Larghezza: 3,7 mm
Numero di parte alias: 933981990115
Peso unitario: 112 mg

BSP33,115.pdf

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