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BSP33,115 Bipolarer Transistor-bipolarer Verbindungstransistor (BJT) SOT223 80V PNP GP BJT

BSP33,115 Bipolarer Transistor-bipolarer Verbindungstransistor (BJT) SOT223 80V PNP GP BJT

Produktdetails:
Herkunftsort: Italien
Markenname: Nexperia
Modellnummer: BSP33,115
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT SOT-223-3
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkt: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT) Installationsstil: SMD/SMT
Paket/Box: SOT-223-3 Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Produkttyp: BJT - Bipolare Transistoren Stückgewicht: 112 mg
Hervorheben:

Langlebiger Bipolartransistor

,

Robuster Bipolartransistor

Hersteller: Nexperia
Produktkategorie: Bipolartransistor-bipolarer Verbindungstransistor (BJT)
Technologie: si
Einbaustil: SMD/SMT
Verpackung/Kiste: SOT-223-3
Polarität des Transistors: PNP
Konfiguration: Einfach
Höchststrom des Gleichstromkollektors: 1 A
Höchstspannung zwischen Kollektor und Emitter VCEO: 80 V.
Spannung der Kollektorbasis VCBO: 90 V
Ausstrahlungsgrundspannung VEBO: 5 V
Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter: 500 mV
Pd- Leistungsausfall: 1,3 W
Bandbreitengewinnprodukt ft: 100 MHz
Mindestbetriebstemperatur: -65 °C.
Höchstbetriebstemperatur: + 150 °C.
Packung: Spirale
Verpackung: Kuttappe
Verkapselung: MouseReel
Marke: Nexperia
Höhe: 1,7 mm
Länge: 6,7 mm
Typ der Ware: Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 3,7 mm
Teilnummer Alias: 933981990115
Einheitsgewicht: 112 mg

BSP33.115.pdf

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Ansprechpartner: Hefengxin

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