SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 60 V
Id - Corrente contínua de dreno: 2,3 A
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 156 mOhms
Vgs - Tensão gate-fonte: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-fonte: 1 V
Qg - Carga gate: 6,8 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,66 W
Modo do canal: Aprimoramento
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cutt tape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Vishay Semiconductors
Configuração: Único
Tempo de descida: 7 ns
Transcondutância direta - mínima: 5 S
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 10 ns
Série: SI2
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de atraso de fechamento típico: 10 ns
Tempo de atraso de ativação típico: 4 ns
Alias ​​do número da peça: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Peso unitário: 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf