SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Fabrikant: Vishay
Productcategorie: MOSFET
Technologie: si
Installatiestijl: SMD/SMT
Verpakking/doos: SOT-23-3
Transistor polariteit: N-kanaal
Aantal kanalen: 1 kanaal
Vds - Drain-source doorslagspanning: 60 V
Id - Continue drainstroom: 2,3 A
Rds On - Drain-source aan-weerstand: 156 mOhm
Vgs - Gate-source spanning: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-source drempelspanning: 1 V
Qg - Gate lading: 6,8 nC
Minimum bedrijfstemperatuur: -55 C
Maximum bedrijfstemperatuur: +150 C
Pd - Vermogensdissipatie: 1,66 W
Kanaalmodus: Enhancement
Handelsnaam: TrenchFET
Verpakking: Reel
Verpakking: Cuttape
Incapsulatie: MouseReel
Handelsmerk: Vishay Semiconductors
Configuratie: Enkel
Daaltijd: 7 ns
Voorwaartse transconductantie - minimum: 5 S
Producttype: MOSFET's
Stijgtijd: 10 ns
Serie: SI2
Subcategorie: Transistors
Transistortype: 1 N-kanaal
Typische sluitvertragingstijd: 10 ns
Typische inschakelvertragingstijd: 4 ns
Onderdeelnummer alias: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Eenheidsgewicht: 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf