SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 2,3 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 156 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg - Gate-Ladung: 6,8 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 1,66 W
Kanalmodus: Enhancement
Markenname: TrenchFET
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 7 ns
Vorwärtstranskonduktanz - Minimum: 5 S
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: SI2
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Teilenummer-Alias: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Einheitsgewicht: 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf