SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	Vishay
Numero di modello:	SI2308BDS-T1-E3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	10
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SOT-23
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Stile di installazione:	SMD/SMT	Pacchetto/scatola:	SOT-23
incapsulamento300V:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Serie:	Si
Peso unitario:	8 mg
Evidenziare:	Diodo Schottky raddrizzatore piccolo , Diodo Schottky raddrizzatore ad alta efficienza

Produttore: Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 60 V
Id - Corrente di drain continua: 2.3a
Rds On - Resistenza drain-source on: 156 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V
Qg - Carica del gate: 6.8nc
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 1.66 W
Modalità canale: Enhancement
Marchio commerciale: TrenchFET
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Vishay Semiconductors
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 7 ns
Transconduttanza diretta - minima: 5 S
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 10 ns
Serie: SI2
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 10 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 4 ns
Alias numero parte: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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