SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

নির্মাতা: বিশে
পণ্য বিভাগ: MOSFET
প্রযুক্তি: si
ইনস্টলেশন শৈলী: SMD/SMT
প্যাকেজ/বাক্স: SOT-23-3
ট্রানজিস্টর পোলারিটি: N-Channel
চ্যানেলের সংখ্যা: 1 চ্যানেল
Vds- ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 60 V.
Id- অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট: 2.3a.
Rds অন- ড্রেন-সোর্স অন প্রতিরোধ: 156 mOhms
Vgs-গেট-সোর্স ভোল্টেজ: - 20 V,+20 V
Vgs th- গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 1 V
Qg- গেট চার্জ: 6.8nc.
সর্বনিম্ন অপারেটিং তাপমাত্রা:-55 C.
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:+150 C.
Pd- বিদ্যুত অপচয়: 1.66 W
চ্যানেল মোড: এনহ্যান্সমেন্ট
ট্রেড নাম: TrenchFET
প্যাকেজ: রিল
প্যাকেজ: কাটটেপ
এনক্যাপসুলেশন: MouseReel
ট্রেডমার্ক: বিশে সেমিকন্ডাক্টরস
কনফিগারেশন: একক
অবরোহন সময়: 7 ns
ফরওয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাকট্যান্স-ন্যূনতম: 5 S
পণ্যের প্রকার: MOSFETs
রাইজ টাইম: 10 ns
সিরিজ: SI2
সাব-ক্যাটাগরি: ট্রানজিস্টর
ট্রানজিস্টরের প্রকার: 1 N-Channel
সাধারণ ক্লোজিং বিলম্ব সময়: 10 ns
সাধারণ টার্ন-অন বিলম্ব সময়: 4 ns
পার্ট নম্বর alias: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
ইউনিট ওজন: 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf