SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: SOT-23-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 Canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 60 V
Id - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 156 mOhmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 6.8 nc
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 1.66 W
Modo de canal: Mejora
Nombre comercial: TrenchFET
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: Vishay Semiconductors
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 7 ns
Transconductancia directa - mínima: 5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: SI2
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tiempo de retardo de cierre típico: 10 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 4 ns
Alias del número de pieza: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Peso unitario: 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf