SI2308BDS-T1-E3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 60 V
Id - Courant de drain continu : 2,3 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 156 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 6,8 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 1,66 W
Mode de canal : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe
Encapsulation : MouseReel
Marque : Vishay Semiconductors
Configuration : Simple
Temps de descente : 7 ns
Transconductance directe - minimum : 5 S
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 10 ns
Série : SI2
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 Canal N
Temps de retard de fermeture typique : 10 ns
Temps de retard d'activation typique : 4 ns
Alias de numéro de pièce : SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-E3-E3
Poids unitaire : 8 mg

SI2308BDS-T1-E3.pdf