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BSL207SP L6327 GaN電界効果トランジスタ Pチャネル -20V 6A TSOP-6

BSL207SP L6327 GaN電界効果トランジスタ Pチャネル -20V 6A TSOP-6

商品の詳細:
起源の場所: ドイツ
ブランド名: Infineon
モデル番号: BSL207SP L6327
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT TSOP-6
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: GaN電界効果トランジスタ インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: TSOP-6 カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール
製品タイプ: GaN FET シリーズ: BSL207
単重: 20mg
ハイライト:

SMDバイアス抵抗トランジスタ

,

SMTバイアス抵抗トランジスタ

メーカー: Infineon
製品カテゴリ: GaN電界効果トランジスタ
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: TSOP-6
トランジスタ極性: Pチャネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間耐圧: 20 V
Id - 連続ドレイン電流: 6 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗: 41mΩ
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -12 V, +12 V
最小動作温度: -55 °C
最大動作温度: +150 °C
Pd - 消費電力: 2 W
チャンネルモード: エンハンスメント
商標: Infineon Technologies
構成: シングル
降下時間: 53 ns
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
製品タイプ: ganfets
立ち上がり時間: 17 ns
シリーズ: BSL207
サブカテゴリ: トランジスタ
技術: GaN
標準的なターンオフ遅延時間: 42 ns
標準的なターンオン遅延時間: 9 ns
部品番号エイリアス: SP000095796 BSL207SPL6327HTSA1
ユニット重量: 20 mg

BSL207SP L6327.pdf

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