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BSL207SP L6327 Transistor de efeito de campo GaN P-Ch -20V 6A TSOP-6

BSL207SP L6327 Transistor de efeito de campo GaN P-Ch -20V 6A TSOP-6

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Alemanha
Marca: Infineon
Número do modelo: BSL207SP L6327
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem: SMD/SMT TSOP-6
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Contato Converse agora
Descrição de produto detalhada
Produto: Transistor de efeito de campo GaN Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: TSOP-6 Encapsulamento: Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto: FETs GaN Série: BSL207
Peso unitário: 20 mg
Destacar:

Resistor de polarização smd transistor

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Resistor de polarização smt transistor

Fabricante: Infineon
Categoria de produto: Transistor de efeito de campo GaN
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: TSOP-6
Polaridade do transistor: canal p
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V
Id - corrente contínua de dreno: 6 A
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 41mohms
Vgs - tensão porta-fonte: -12 V, +12 V
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 2 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca registrada: Infineon Technologies
Configuração: Única
Tempo de descida: 53 ns
Embalagem: Carretel
Embalagem: cuttape
Tipo de produto: ganfets
Tempo de subida: 17 ns
Série: BSL207
Subcategoria: Transistores
Tecnologia: GaN
Tempo típico de atraso de fechamento: 42 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 9 ns
Alias ​​do número da peça: SP000095796 BSL207SPL6327HTSA1
Peso unitário: 20 mg

BSL207SP L6327.pdf

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