BSL207SP L6327 Transistor à effet de champ GaN P-Ch -20V 6A TSOP-6

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	Allemagne
Nom de marque:	Infineon
Numéro de modèle:	BSL207SPL6327

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS TSOP-6
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor à effet de champ GaN	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	TSOP-6	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	FET GaN	Série:	BSL207
Poids unitaire:	20mg
Mettre en évidence:	Résistance de polarisation SMD pour transistor , Résistance de polarisation SMT pour transistor

Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : Transistor à effet de champ GaN
Style d'installation : CMS/SMT
Boîtier/emballage : TSOP-6
Polarité du transistor : canal p
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 6 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 41 mohms
Vgs - Tension grille-source : -12 V, +12 V
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 2 W
Mode de canal : Amélioration
Marque : Infineon Technologies
Configuration : Simple
Temps de descente : 53 ns
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe en bande
Type de produit : ganfets
Temps de montée : 17 ns
Série : BSL207
Sous-catégorie : Transistors
Technologie : GaN
Temps de retard de fermeture typique : 42 ns
Temps de retard d'activation typique : 9 ns
Alias de numéro de pièce : SP000095796 BSL207SPL6327HTSA1
Poids unitaire : 20 mg

Produit Tag:

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