BSL207SP L6327 Transistor a effetto di campo GaN P-Ch -20V 6A TSOP-6

Dettagli:

Luogo di origine:	Germania
Marca:	Infineon
Numero di modello:	BSL207SP L6327

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMTTSOP-6
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	Transistor ad effetto di campo GaN	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	TSOP-6	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	FET GaN	Serie:	BSL207
Peso unitario:	20 mg
Evidenziare:	Resistore di polarizzazione smd transistor , Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: Infineon
Categoria prodotto: Transistor a effetto di campo GaN
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: TSOP-6
Polarità del transistor: canale p
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 6 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 41 mohm
Vgs - Tensione gate-source: -12 V, +12 V
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 2 W
Modalità canale: Enhancement
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Singola
Tempo di discesa: 53 ns
Confezione: Bobina
Confezione: Nastro tagliato
Tipo di prodotto: ganfets
Tempo di salita: 17 ns
Serie: BSL207
Sottocategoria: Transistor
Tecnologia: GaN
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 42 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 9 ns
Alias numero parte: SP000095796 BSL207SPL6327HTSA1
Peso unitario: 20 mg

Prodotto Tag:

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