BSL207SP L6327 Transistor de efecto de campo GaN P-Ch -20V 6A TSOP-6

Datos del producto:

Lugar de origen:	Alemania
Nombre de la marca:	Infineon
Número de modelo:	BSL207SP L6327

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado:	SMD/SMTTSOP-6
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

Contacto Ahora Charle

Descripción detallada del producto

Producto:	Transistor de efecto de campo GaN	Estilo de instalación:	SMD/SMT
Paquete/caja:	TSOP-6	Encapsulación:	Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto:	FET de GaN	Serie:	BSL207
Peso unitario:	20 miligramos
Resaltar:	Resistor de polarización SMD para transistor , Resistor de polarización SMT para transistor

Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Transistor de efecto de campo GaN
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: TSOP-6
Polaridad del transistor: Canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 20 V
Id - Corriente continua de drenaje: 6 A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente en encendido: 41 mohmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -12 V, +12 V
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 2 W
Modo de canal: Mejora
Marca comercial: Infineon Technologies
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 53 ns
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Tipo de producto: ganfets
Tiempo de subida: 17 ns
Serie: BSL207
Subcategoría: Transistores
Tecnología: GaN
Tiempo de retardo de cierre típico: 42 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 9 ns
Alias del número de pieza: SP000095796 BSL207SPL6327HTSA1
Peso unitario: 20 mg

etiqueta:

Persona de Contacto: Hefengxin

Teléfono: +8613652326683

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