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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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DXT5401-13 Bipolartransistor 1W 150V Kleines robustes Design

DXT5401-13 Bipolartransistor 1W 150V Kleines robustes Design

DXT5401-13 Bipolar Junction Transistor 1W 150V Small Robust Design
DXT5401-13 Bipolar Junction Transistor 1W 150V Small Robust Design
Produktdetails:
Herkunftsort: Vereinigte Staaten
Markenname: Diodes Incorporated
Modellnummer: DXT5401-13
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen: SMD/SMT
Lieferzeit: 5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen: T/T
Kontakt Plaudern Sie Jetzt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produkttyp: Bipolartransistor-Bipolartransistor (BJT) Verkapselung: Reel, Cut Tape, MouseReel
Installationsstil: SMD/SMT Paket/Box: SOT-89-3
Serie: DXT5401 Stückgewicht: 52 mg
Hervorheben:

DXT5401-13 Bipolartransistor

,

DXT5401-13 IC BJT

,

Kleiner Bipolartransistor

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolar-Transistor-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-89-3
Transistorpolarität: PNP
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstromkollektorstrom: 600 mA
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 160 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 500 mV
Pd - Verlustleistung: 1 W
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt ft: 300 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: DXT5401
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hFE min: 50 bei -50 mA, -5 V
Höhe: 1,6 mm
Länge: 4,6 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 2,6 mm
Einheitsgewicht: 52 mg

Größe und Tag:

Bipolartransistor,

Bipolartransistor (BJT),

Bipolartransistor (IC)

Kontaktdaten
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Ansprechpartner: Hefengxin

Telefon: +8613652326683

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