DXT5401-13 Transistor à jonction bipolaire 1W 150V Conception petite et robuste

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Diodes Incorporated
Numéro de modèle:	DXT5401-13

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	SMD / SMT
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Type de produit:	Transistor bipolaire-transistor à jonction bipolaire (BJT)	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Style d'installation:	SMD / SMT	Package / boîte:	SOT-89-3
Série:	DXT5401	Poids unitaire:	52 mg
Mettre en évidence:	DXT5401-13 Transistor à jonction bipolaire , DXT5401-13 ci bjt , Petit transistor à jonction bipolaire

Fabricant: Diodes Incorporated
Catégorie de produit: transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie: Si
Style d'installation: SMD/SMT
Boîtier/emballage: SOT-89-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Simple
Courant de collecteur continu maximum: 600 mA
Tension collecteur-émetteur VCEO maximum: 150 V
Tension collecteur-base VCBO: 160 V
Tension émetteur-base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 500 mV
Pd - dissipation de puissance: 1 W
Produit gain-bande passante ft: 300 MHz
Température de fonctionnement minimale: -55 °C
Température de fonctionnement maximale: +150 °C
Série: DXT5401
Emballage: Bobine
Emballage: Coupe de bande
Encapsulation: MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Gain courant continu collecteur/base hFE min: 50 à -50 mA, -5 V
Hauteur: 1,6 mm
Longueur: 4,6 mm
Type de produit: BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie: Transistors
Largeur: 2,6 mm
Poids unitaire: 52 mg

Produit Tag:

Personne à contacter: Hefengxin

Téléphone: +8613652326683

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