โทร:
พูดคุยกันตอนนี้
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

บริษัท เซินเจิ้น เหอเฟิงซิน เทคโนโลยี จำกัด

บ้าน ผลิตภัณฑ์

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ไอซีวงจรรวม (201)
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)
ยืนยันแผ่นหนา (29)
ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)
ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)
ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)
ไดโอด สกปรก Rectifier (103)
ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)
อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)
ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)
ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
PI4ULS3V204LEX ระดับแรงดันไฟฟ้าแปลงสัญญาณแบบสองทิศทาง 1.1-3.6V
PI4ULS3V204LEX ระดับแรงดันไฟฟ้าแปลงสัญญาณแบบสองทิศทาง 1.1-3.6V
Video
ทรานซิสเตอร์พร้อมตัวต้านทานไบอัส UMC5N แบบดิจิทัล 2 ช่อง ประหยัดพื้นที่
ทรานซิสเตอร์พร้อมตัวต้านทานไบอัส UMC5N แบบดิจิทัล 2 ช่อง ประหยัดพื้นที่
Video
DDTA115GE การติดตั้งทรานซิสเตอร์ไบแอสตัวต้านทานแบบเดี่ยว PNP SMD/SMT
DDTA115GE การติดตั้งทรานซิสเตอร์ไบแอสตัวต้านทานแบบเดี่ยว PNP SMD/SMT
Video
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล DCX114EH พร้อมตัวต้านทานไบอัส ความน่าเชื่อถือสูง ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล 100mA
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล DCX114EH พร้อมตัวต้านทานไบอัส ความน่าเชื่อถือสูง ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล 100mA
Video
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล ADTA114ECAQ-7 PNP พร้อมไบอัสล่วงหน้า สัญญาณขนาดเล็ก
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล ADTA114ECAQ-7 PNP พร้อมไบอัสล่วงหน้า สัญญาณขนาดเล็ก
Video
1 2 3 4 5

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ

(241)
DMP32D4S-7 มอสเฟต 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA
Video

DMP32D4S-7 มอสเฟต 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Diodes Incorporated หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: p-channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 30 V ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
Si2308BDS-T1-GE3 มอสเฟต 60V Vds 20V Vgs SOT-23
Video

Si2308BDS-T1-GE3 มอสเฟต 60V Vds 20V Vgs SOT-23
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 60 V Id - กระแสเดรน... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-GE3 MOSFET แนะนํา ALT SI23
Video

SI2308DS-T1-GE3 MOSFET แนะนํา ALT SI23
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishayประเภทสินค้า: MOSFETเทคโนโลยี:สไตล์การติดตั้ง: SMD/SMTกล่อง/กล่อง: SOT-23-3ชื่อทางการค้า: TrenchFETแพ็คเกจ: รีลแพ็คเกจ: ผักกาดสัญลักษณ์การค้า: Vishay/Siliconixประเภทสินค้า: MOSFETsซีรี่ย์: SI2หมว... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-E3 1.45 มม. SOT-23-3
Video

SI2308DS-T1-E3 1.45 มม. SOT-23-3
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 ชื่อทางการค้า: TrenchFET แพ็คเกจ: Reel แพ็คเกจ: cuttape การห่อหุ้ม: MouseReel เครื่องหมายการค้า: Vishay... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, ทิศทางเดียว, VF=1.25V
Video

LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, ทิศทางเดียว, VF=1.25V
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

แคตตาล็อกการป้องกันไฟฟ้าสถิตและไฟกระชาก (TVS/ESD) ขั้วเดียว แรงดันไฟฟ้าตัดกลับ (Vrwm) 5.25V V แรงดันไฟฟ้าหนีบ 300 V ค่าพารามิเตอร์คุณสมบัติ แรงดันไฟฟ้าพังทลาย 6.1V กระแสไฟย้อนกลับ (Ir) 20uA ชนิด ESD LESDA6V1LT1... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
Video

LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

แคตตาล็อกการป้องกันไฟฟ้าสถิตและไฟกระชาก (TVS/ESD) ขั้วเดียว แรงดันไฟฟ้าตัดกลับ (Vrwm) 5V แรงดันไฟฟ้าหนีบ 100 V ค่าพารามิเตอร์คุณสมบัติ แรงดันไฟฟ้าพังทลาย 6.1V กระแสไฟย้อนกลับ (Ir) - ชนิด TVS LESDA6V1W6T1G.PDF... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V Dual ได้รับการรับรอง AEC-Q101
Video

AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V Dual ได้รับการรับรอง AEC-Q101
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Diodes Incorporated หมวดหมู่สินค้า: ไดโอดซีเนอร์ Vz-แรงดันซีเนอร์: 3.6 V รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 Pd- การกระจายกำลังไฟ: 300mW ความคลาดเคลื่อนของแรงดันไฟฟ้า: 5% Ir-กระแสไฟรั่วไห... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
หลอดสุญญากาศขนาดเล็กพิเศษ DMN2050L
Video

หลอดสุญญากาศขนาดเล็กพิเศษ DMN2050L
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Diodes Incorporated หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง เครื่องหมายการค้า: Diodes Incorporated การกำหนดค... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
DMN2058UW-7 มอสเฟต มอสเฟต BVDSS: 8V~24V SOT323 T และ R 3K
Video

DMN2058UW-7 มอสเฟต มอสเฟต BVDSS: 8V~24V SOT323 T และ R 3K
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Diodes Incorporated หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-323-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่องสัญญาณ: 1 ช่องสัญญาณ Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของแหล่งจ่ายไฟ: 20 V Id - ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
DMN2050L-7 มอสเฟต 1.4W 20V
Video

DMN2050L-7 มอสเฟต 1.4W 20V
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Diodes Incorporated หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23-3 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง แรงดันไฟฟ้า Vds- drain-source breakdown: 20 V Id... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:52
Page 24 of 25|< 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 >|
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
9D, ชั้น 9, อาคาร A, Modern Window, ถนน Huaqiang North, เขต Futian, เซินเจิ้น
โทร:0755-23933424
นโยบายความเป็นส่วนตัว ｜ ประเทศจีน ดี คุณภาพ ไอซีวงจรรวม ผู้ผลิต. © 2025 Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.. All Rights Reserved.